现在来谈谈长晶的MOSFET。它是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关电路。确定MOSFET的首要特性是其漏源电压VDS,或“漏源击穿电压”,这是在栅极短路到源极,漏极电流在250μA情况下,MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。VDS也被称为“25℃下的绝对最高电压”,但是一定要记住,这个绝对电压与温度有关,而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。
长晶采用先进的沟槽技术和设计为优秀的RDS(on)提供低棚极电荷。其具有高效率和电流处理能力、负荷开关、超低RDS(on)的高密度单元设计和获得无铅产品的特点,用途非常广泛。
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